波長200nm以下の深紫外線が発光可能な新しい半導体材料を開発 https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/6f4vxg https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気工学専攻・電子工学専攻.png 波長200nm以下の深紫外線が発光可能な新しい半導体材料を開発 本学科の藤田静雄教授、金子健太郎講師らの研究グループは、水銀 (Hg) や希ガス (Ar、Kr、Xeなど) の放電を用いることなく、200 nm以下の短い波長を含む深紫外線を発光可能な半導体材料の開発に成功しました。詳しくはこちら。 2020年03月31日 ドキュメントアクション Twitter Facebook
