逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/uvi91p https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気工学専攻・電子工学専攻.png 逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功 本学科の木本恒暢教授、小林拓真研究員らの研究グループは、低損失パワー半導体として有望なSiC（炭化ケイ素）で20年来の課題であった酸化膜/SiC界面欠陥を独自の概念、手法により、従来のベストに比べて1/10に低減することに成功しました。詳細はこちら。 2020年08月21日 ドキュメントアクション Twitter Facebook
