立木 馨大君(研究員)がIEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞

電子工学専攻の研究員 立木 馨大君が2022年10月にIEEE Electron Devices Society Kansai Chapter で行った研究発表「Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N2 Annealing」に対して、IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞しました。(2022年10月7日受賞)

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