山中孝太郎君（修士2回生）がICSCRM 2026 Best Student Paper Awardを受賞

工学研究科修士課程2回生の山中孝太郎君が、ICSCRM 2026（第23回SiC半導体および関連材料に関する国際会議）で発表した "Impact of Pre-Oxidation on Intrinsic Point Defect Formation in Electron-Irradiated 4H-SiC" の論文に対して、Best Student Paper Awardを受賞しました。同賞は当該国際会議で学生により発表された約170件の内、最優秀の1件を表彰するものです。（2026年10月2日受賞）