低損失電力素子として有望なSiCトランジスタの性能を6倍以上向上 https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/ja/news-events/news/kmt44 https://www.ee.t.kyoto-u.ac.jp/@@site-logo/logo_電気工学専攻・電子工学専攻.png 低損失電力素子として有望なSiCトランジスタの性能を6倍以上向上 木本恒暢 教授(電子工学専攻)、立木馨大 博士後期課程学生らの研究グループは、省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で問題になっていた欠陥を独自の手法で大幅に低減し、実用的な構造でSiCトランジスタの性能を6倍以上向上することに成功しました。詳細はこちら。 2021年10月27日 ドキュメントアクション Twitter Facebook