金子光顕助教がIEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞

金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌に発表した "SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K" の研究業績に対して IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award を受賞しました。（2023年10月6日受賞）