金子光顕助教がIEEE EDS Kansai Chapter of the Year Awardを受賞

金子光顕助教がIEEE Electron Device Lett.誌に発表した "SiC Complementary Junction Field-Effect Transistor Logic Gate Operation at 623 K" の研究業績に対して IEEE EDS Kansai Chapter of the Year Award を受賞しました。(2023年10月6日受賞)

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