遅熙倫君(大学院生)がIEEE EDS Kansai Chapter MFSK Awardを受賞

電子工学専攻の大学院生　遅 熙倫君（D3）が2025年10月にIEEE Electron Devices Society Kansai Chapterで行った研究発表「Unique electron trapping and its impacts on electron mobility in SiC n-channel MOSFETs」に対して、IEEE EDS Kansai Chapter MFSK Awardを受賞しました。（2025年10月3日受賞）